De p-n overgang

Indien een plaatje n-type silicium tegen een plaatje van het p-type wordt gedrukt wordt het overschot aan vrije elektronen uit het n-type aangetrokken door de gaten in het p-type.

Omgekeerd zullen de gaten uit het p-type zich willen verplaatsen naar het n-type silicium. Het gevolg is dat er zich negatieve lading (geïoniseerde boriumatomen) ophoopt aan de p-zijde van het grensvlak en positieve lading (geïoniseerde fosforatomen) aan de n-zijde. Als er in het p-gebied extra elektronen vrijkomen, bijvoorbeeld door de inwerking van zonlicht, worden die aangetrokken door het n-gebied en ontstaat er een elektrische stroom (figuur 9).